Односторонний световой барьер

Сравнить
Изображение Описание Бренды
Серии
Тип напряжения
Тип подключения
Номин. напряж. питания цепи управления Us постоян. тока DC
Номин. напряж. питания цепи управления Us AC 50 Гц
Срок поставки (в раб. днях)
Упаковка Ваша цена с НДС Розничная цена с НДС Заказать
223483 Датчик фотоэл., на пересечение луча, корпус нерж. сталь IP69K, ИК-свет, 15м, на свет/тень, NPN, кабель 2м E3ZM-T61 2M
223483 Датчик фотоэл., на пересечение луча, корпус нерж. сталь IP69K, ИК-свет, 15м, на свет/тень, NPN, кабель 2м E3ZM-T61 2M223483
Copy
Copy
OMRON
Copy
1 дн. 2 шт.
Copy
от 1 шт. Регистрация
Copy
шт.
XUB0BNSNL2 ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ДАТЧИК ЦИЛИНДР NPN XUB0BNSNL2
XUB0BNSNL2 ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ДАТЧИК ЦИЛИНДР NPN XUB0BNSNL2XUB0BNSNL2
Copy
Copy
SCHNEIDER ELECTRIC
Copy
Электронные датчики1 дн. 1 шт.
Copy
от 1 шт. Регистрация
Copy
шт.
BJ3M-PDT-C-P Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный компактный прямоугольный 10.6?32?20мм, материал корпуса: пластик (поликарбонат) + пластик (АБС), рефлекторный (поляризационный фильтр), положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (660нм), рассто
BJ3M-PDT-C-P Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный компактный прямоугольный 10.6?32?20мм, материал корпуса: пластик (поликарбонат) + пластик (АБС), рефлекторный (поляризационный фильтр), положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (660нм), расстоBJ3M-PDT-C-P
Copy
Copy
AUTONICS
Copy
6 дн. 122 шт.
Copy
x 1 шт. Регистрация
Copy
шт.
BJN100-NDT-P Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный компактный прямоугольный 10.6?32?20мм, материал корпуса: пластик (поликарбонат) + пластик (АБС), диффузный (узконаправленный луч), положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (650нм), расстояни<x
BJN100-NDT-P Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный компактный прямоугольный 10.6?32?20мм, материал корпуса: пластик (поликарбонат) + пластик (АБС), диффузный (узконаправленный луч), положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (650нм), расстояни<xBJN100-NDT-P
Copy
Copy
AUTONICS
Copy
6 дн. 35 шт.
Copy
x 1 шт. Регистрация
Copy
шт.
BJ100-DDT-P Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный компактный прямоугольный 10.6?32?20мм, материал корпуса: пластик (поликарбонат) + пластик (АБС), диффузный, положение излучателя/приемника фронтальное, инфракрасный LED (850нм), расстояние срабатывания: 100м
BJ100-DDT-P Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный компактный прямоугольный 10.6?32?20мм, материал корпуса: пластик (поликарбонат) + пластик (АБС), диффузный, положение излучателя/приемника фронтальное, инфракрасный LED (850нм), расстояние срабатывания: 100мBJ100-DDT-P
Copy
Copy
AUTONICS
Copy
6 дн. 10 шт.
Copy
x 1 шт. Регистрация
Copy
шт.
BJN50-NDT-P Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный компактный прямоугольный 10.6?32?20мм, материал корпуса: пластик (поликарбонат) + пластик (АБС), диффузный (узконаправленный луч), положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (650нм), расстояни<x
BJN50-NDT-P Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный компактный прямоугольный 10.6?32?20мм, материал корпуса: пластик (поликарбонат) + пластик (АБС), диффузный (узконаправленный луч), положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (650нм), расстояни<xBJN50-NDT-P
Copy
Copy
AUTONICS
Copy
6 дн. 5 шт.
Copy
x 1 шт. Регистрация
Copy
шт.
BJ100-DDT Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный компактный прямоугольный 10.6?32?20мм, материал корпуса: пластик (поликарбонат) + пластик (АБС), диффузный, положение излучателя/приемника фронтальное, инфракрасный LED (850нм), расстояние срабатывания: 100м
BJ100-DDT Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный компактный прямоугольный 10.6?32?20мм, материал корпуса: пластик (поликарбонат) + пластик (АБС), диффузный, положение излучателя/приемника фронтальное, инфракрасный LED (850нм), расстояние срабатывания: 100мBJ100-DDT
Copy
Copy
AUTONICS
Copy
BJ
Не применимо
6 дн. 23 шт.
Copy
x 1 шт. Регистрация
Copy
шт.
BJN50-NDT Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный компактный прямоугольный 10.6?32?20мм, материал корпуса: пластик (поликарбонат) + пластик (АБС), диффузный (узконаправленный луч), положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (650нм), расстояни<x
BJN50-NDT Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный компактный прямоугольный 10.6?32?20мм, материал корпуса: пластик (поликарбонат) + пластик (АБС), диффузный (узконаправленный луч), положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (650нм), расстояни<xBJN50-NDT
Copy
Copy
AUTONICS
Copy
6 дн. 5 шт.
Copy
x 1 шт. Регистрация
Copy
шт.
BJ7M-TDT Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный компактный прямоугольный 10.6?32?20мм, материал корпуса: пластик (поликарбонат) + пластик (АБС), на пересечение луча, положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (650нм), расстояние срабатывания:
BJ7M-TDT Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный компактный прямоугольный 10.6?32?20мм, материал корпуса: пластик (поликарбонат) + пластик (АБС), на пересечение луча, положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (650нм), расстояние срабатывания:BJ7M-TDT
Copy
Copy
AUTONICS
Copy
BJ
Не применимо
6 дн. 28 шт.
Copy
x 1 шт. Регистрация
Copy
шт.
BJ7M-TDT-P Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный компактный прямоугольный 10.6?32?20мм, материал корпуса: пластик (поликарбонат) + пластик (АБС), на пересечение луча, положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (650нм), расстояние срабатывания:
BJ7M-TDT-P Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный компактный прямоугольный 10.6?32?20мм, материал корпуса: пластик (поликарбонат) + пластик (АБС), на пересечение луча, положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (650нм), расстояние срабатывания:BJ7M-TDT-P
Copy
Copy
AUTONICS
Copy
6 дн. 7 шт.
Copy
x 1 шт. Регистрация
Copy
шт.
BJ10M-TDT-P Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный компактный прямоугольный 10.6?32?20мм, материал корпуса: пластик (поликарбонат) + пластик (АБС), на пересечение луча, положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (660нм), расстояние срабатывания:
BJ10M-TDT-P Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный компактный прямоугольный 10.6?32?20мм, материал корпуса: пластик (поликарбонат) + пластик (АБС), на пересечение луча, положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (660нм), расстояние срабатывания:BJ10M-TDT-P
Copy
Copy
AUTONICS
Copy
BJ
Не применимо
6 дн. 16 шт.
Copy
x 1 шт. Регистрация
Copy
шт.
BJ15M-TDT-C-P Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный компактный прямоугольный 10.6?32?20мм, материал корпуса: пластик (поликарбонат) + пластик (АБС), на пересечение луча, положение излучателя/приемника фронтальное, инфракрасный LED (850нм), расстояние срабатыв
BJ15M-TDT-C-P Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный компактный прямоугольный 10.6?32?20мм, материал корпуса: пластик (поликарбонат) + пластик (АБС), на пересечение луча, положение излучателя/приемника фронтальное, инфракрасный LED (850нм), расстояние срабатывBJ15M-TDT-C-P
Copy
Copy
AUTONICS
Copy
6 дн. 11 шт.
Copy
x 1 шт. Регистрация
Copy
шт.
BYD100-DDT Фотоэлектрический датчик компактный прямоугольный 12?32?18мм, материал корпуса: пластик (АБС), диффузный, положение излучателя/приемника боковое, инфракрасный LED (940нм), расстояние срабатывания: 100мм, время срабатывания: действие: 3мс, Возврат: 100мс<x
BYD100-DDT Фотоэлектрический датчик компактный прямоугольный 12?32?18мм, материал корпуса: пластик (АБС), диффузный, положение излучателя/приемника боковое, инфракрасный LED (940нм), расстояние срабатывания: 100мм, время срабатывания: действие: 3мс, Возврат: 100мс<xBYD100-DDT
Copy
Copy
AUTONICS
Copy
6 дн. 5 шт.
Copy
x 1 шт. Регистрация
Copy
шт.
BPS3M-TDT Фотоэлектрический датчик плоский прямоугольный 16?7.5?28мм, материал корпуса: пластик (поликарбонат), на пересечение луча, положение излучателя/приемника боковое, инфракрасный LED (850нм), расстояние срабатывания: 3м, время срабатывания: 1мс, регулировк<x
BPS3M-TDT Фотоэлектрический датчик плоский прямоугольный 16?7.5?28мм, материал корпуса: пластик (поликарбонат), на пересечение луча, положение излучателя/приемника боковое, инфракрасный LED (850нм), расстояние срабатывания: 3м, время срабатывания: 1мс, регулировк<xBPS3M-TDT
Copy
Copy
AUTONICS
Copy
6 дн. 12 шт.
Copy
x 1 шт. Регистрация
Copy
шт.
BPS3M-TDTL-P Фотоэлектрический датчик плоский прямоугольный 16?7.5?28мм, материал корпуса: пластик (поликарбонат), на пересечение луча, положение излучателя/приемника боковое, инфракрасный LED (850нм), расстояние срабатывания: 3м, время срабатывания: 1мс, регулировк<x
BPS3M-TDTL-P Фотоэлектрический датчик плоский прямоугольный 16?7.5?28мм, материал корпуса: пластик (поликарбонат), на пересечение луча, положение излучателя/приемника боковое, инфракрасный LED (850нм), расстояние срабатывания: 3м, время срабатывания: 1мс, регулировк<xBPS3M-TDTL-P
Copy
Copy
AUTONICS
Copy
6 дн. 12 шт.
Copy
x 1 шт. Регистрация
Copy
шт.
BPS3M-TDT-P Фотоэлектрический датчик плоский прямоугольный 16?7.5?28мм, материал корпуса: пластик (поликарбонат), на пересечение луча, положение излучателя/приемника боковое, инфракрасный LED (850нм), расстояние срабатывания: 3м, время срабатывания: 1мс, регулировк<x
BPS3M-TDT-P Фотоэлектрический датчик плоский прямоугольный 16?7.5?28мм, материал корпуса: пластик (поликарбонат), на пересечение луча, положение излучателя/приемника боковое, инфракрасный LED (850нм), расстояние срабатывания: 3м, время срабатывания: 1мс, регулировк<xBPS3M-TDT-P
Copy
Copy
AUTONICS
Copy
BPS 6 дн. 48 шт.
Copy
x 1 шт. Регистрация
Copy
шт.
BPS3M-TDTL Фотоэлектрический датчик плоский прямоугольный 16?7.5?28мм, материал корпуса: пластик (поликарбонат), на пересечение луча, положение излучателя/приемника боковое, инфракрасный LED (850нм), расстояние срабатывания: 3м, время срабатывания: 1мс, регулировк<x
BPS3M-TDTL Фотоэлектрический датчик плоский прямоугольный 16?7.5?28мм, материал корпуса: пластик (поликарбонат), на пересечение луча, положение излучателя/приемника боковое, инфракрасный LED (850нм), расстояние срабатывания: 3м, время срабатывания: 1мс, регулировк<xBPS3M-TDTL
Copy
Copy
AUTONICS
Copy
6 дн. 12 шт.
Copy
x 1 шт. Регистрация
Copy
шт.
BA2M-DDT-P Фотоэлектрический датчик полуовальный 19?15.5х48.5мм, материал корпуса: пластик (АБС), диффузный, положение излучателя/приемника фронтальное, инфракрасный LED (850нм), расстояние срабатывания: 2м, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: ест
BA2M-DDT-P Фотоэлектрический датчик полуовальный 19?15.5х48.5мм, материал корпуса: пластик (АБС), диффузный, положение излучателя/приемника фронтальное, инфракрасный LED (850нм), расстояние срабатывания: 2м, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: естBA2M-DDT-P
Copy
Copy
AUTONICS
Copy
6 дн. 10 шт.
Copy
x 1 шт. Регистрация
Copy
шт.
BMS300-DDT-P Фотоэлектрический датчик прямоугольный 16х55х29мм, материал корпуса: пластик (АБС), диффузный, положение излучателя/приемника фронтальное, инфракрасный LED (940нм), расстояние срабатывания: 300мм, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: ест
BMS300-DDT-P Фотоэлектрический датчик прямоугольный 16х55х29мм, материал корпуса: пластик (АБС), диффузный, положение излучателя/приемника фронтальное, инфракрасный LED (940нм), расстояние срабатывания: 300мм, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: естBMS300-DDT-P
Copy
Copy
AUTONICS
Copy
6 дн. 5 шт.
Copy
x 1 шт. Регистрация
Copy
шт.
BEN3M-PDT Фотоэлектрический датчик прямоугольный 18х50?50мм, материал корпуса: пластик (теплостойкий поликарбонат/АБС), рефлекторный (поляризационный фильтр), положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (660нм), расстояние срабатывания: 3м, время срабат
BEN3M-PDT Фотоэлектрический датчик прямоугольный 18х50?50мм, материал корпуса: пластик (теплостойкий поликарбонат/АБС), рефлекторный (поляризационный фильтр), положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (660нм), расстояние срабатывания: 3м, время срабатBEN3M-PDT
Copy
Copy
AUTONICS
Copy
BEN 6 дн. 34 шт.
Copy
x 1 шт. Регистрация
Copy
шт.